Pwodwi Deskripsyon
Boron Carbide: Li te dekouvri nan 19yèm syèk la kòm yon byproduct nan rechèch metal boride epi yo pa te etidye syantifikman jouk ane 1830 yo. Li se senkyèm sibstans ki pi di li te ye apre nitrure bor, dyaman, konpoze fullerene ak monolit dyaman.
Bor Carbide Sputtering Sib Manyen Nòt
- Lyezon Endyòm rekòmande pou materyèl sa a, akòz kèk nan karakteristik li yo pa fasil pou sputtering tankou brittleness, ba konduktiviti tèmik, elatriye.
- Boron Carbide Sputtering Target gen yon konduktiviti tèmik ki ba epi li sansib a chòk tèmik.
Bore Carbide Sputtering sib aplikasyon
Se sib la carbure bor sputtering itilize pou depo fim mens, dekorasyon, semi-conducteurs, ekspozisyon, dirije ak aparèy fotovoltaik, kouch fonksyonèl kòm byen ke lòt endistri espas depo enfòmasyon optik, endistri kouch vè tankou vè machin ak vè achitekti, kominikasyon optik, elatriye.
|
B4C sputtering sib Bore carbure sputtering sib |
|
|
Pwodwi: |
B4C carbure bor sputtering objektif |
|
Pite: |
99.50% |
|
Gwosè: |
Customized |
|
Fòm: |
wonn oswa rektangilè |
|
Teknoloji: |
Laprès cho |
|
Aplikasyon: |
endistri kouch pvd |
|
Anbalaj: |
pake vakyòm, katon ekspòtasyon oswa ka an bwa deyò |
|
Pwodwi ki gen rapò: |
ZnO, TiO2, AZO, ITO, Al2O3, Ta2O5, Nb2O5, HfO2, ZrO2, MoS2, WS2, MoO3, WO3 ak elatriye. |
Baj popilè: carbure bor (b4c) sputtering sib, Lachin carbure bor (b4c) sputtering sib founisè, faktori
