Pwodwi Deskripsyon
Germanium se yon eleman chimik ki gen senbòl Ge ak nimewo atomik 32. Li se yon metaloyid briyan, difisil-frajil, gri-blan nan gwoup kabòn nan, chimikman menm jan ak gwoup vwazen li yo Silisyòm ak fèblan. Germanium pi se yon semi-conducteurs ak yon aparans ki sanble ak Silisyòm elemantè. Menm jan ak Silisyòm, germanium natirèlman reyaji ak fòme konplèks ak oksijèn nan lanati.
Sib sputtering Germanium yo te fè nan 5N kristal jèrmanyòm, akòz ranje transmisyon lajè li yo nan enfrawouj la ak opakite nan rejyon yo limyè vizib, sib sputtering germanium yo te itilize pou depoze jèrmanyòm fim mens sou optik la nan kamera D 'tèmik. Optik sa yo anjeneral ap travay nan seri a 8 a 14 mikron pou pasif D tèmik ak pou deteksyon cho-spot nan militè, vizyon mobil lannwit, ak aplikasyon pou batay dife. Li itilize tou nan espektwoskòp enfrawouj ak lòt ekipman optik ki mande pou detektè enfrawouj trè sansib. Men, kòm germanium mens fim gen yon endèks refraktif trè wo (4.0), kidonk li dwe kouvwi ak yon fim anti-refleksyon.
Materyèl sib: Germanium Ge
Crystal estrikti: monokristalin, polikristalin
Pite: 5N, 6N
Kalite kondiksyon: N tip
Rezistans: 0.03-50Ω.cm
Endèks refraktif (10um): 4.0026
Koyefisyan absòpsyon (/cm): Mwens pase oswa egal a 0.03
Transmisyon optik: 46%
Sifas fini: Ra 1.6um
Gwosè sib wonn: Dyamèt mwens pase oswa egal a 450mm, epesè pi gran pase oswa egal a 0.5mm
Rektang sib gwosè: 205 x 205mm max
Materyèl ki gen rapò Sputtering
CrGe sib sputtering
GeO2 sib sputtering
GeTe50/50at% sib sputtering
GeSe50/50at% sib sputtering
Ge2Sb2Te5at% sib sputtering
Ge15Te85at% sib sputtering
Baj popilè: germanium (ge) sputtering sib, Lachin germanium (ge) sputtering sib founisè, faktori


