Titàn aliminyòm Sputtering objektif

Titàn aliminyòm Sputtering objektif

Yitech pwodui Titàn Aliminyòm Sputtering Targets pa pwosesis avanse cho izostatik peze. Sa yo souvan itilize nan kouch zouti pyès ki nan konpitè, kouch dekoratif, konpozan semi-conducteurs, ak kouch ekspozisyon plat.
Voye rechèch
Pwodwi Deskripsyon

 

Yitech pwodui Titàn Aliminyòm Sputtering Targets pa pwosesis avanse cho izostatik peze. Sa yo souvan itilize nan kouch zouti pyès ki nan konpitè, kouch dekoratif, konpozan semi-conducteurs, ak kouch ekspozisyon plat. Rezon ki fè itilizasyon sa a se gwo duktilite (long lavi sèvis), segondè konduktiviti tèmik, ak mikrostruktur omojèn.

 

Titàn aliminyòm Sputtering sib Enfòmasyon

 

Pite: 99.5-99.9%;
Sikilè: Dyamèt<= 1500 mm x 500 mm;
Rotary: Longè<=2000 mm, Thickness: <=15 mm;
Sib Kalite: sib sputtering planar, sib sputtering Rotary.

 

Titàn Aliminyòm Sputtering objektif analiz

 

Titàn aliminyòm Sputtering sib

Pwopriyete

Pwopriyete

Pwopriyete

Konpozisyon (nan %)

Ti33Al67

Ti50Al50

Ti70Al30

Pite

99.80%

99.80%

99.80%

Dansite g/cm³

3.29

3.6

3.95

Gwosè grenn (um)

Mwens pase oswa egal a 100

Mwens pase oswa egal a 100

Mwens pase oswa egal a 100

Kondiktivite tèmik (W/mk)

98

70

40

Koefisyan ekspansyon tèmik (K)

1.9 x 10-5

1.75 x 10-5

1.35 x 10-5

 

Plis Enfòmasyon sou Titàn Aliminyòm Sputtering sib

 

Aplikasyon

• Kouch dekoratif
• Kouch zouti pyès ki nan konpitè
• Semiconductor
• Montre panèl plat

 

Pwosesis Faktori

• Preparasyon poud
• Cho izostatik peze
• Analiz: rafineman grenn, Recuit, mikrografi, D'
• Netwayaj ak anbalaj final - Netwaye pou itilize nan vakyòm

 

Karakteristik

• Prix konpetitif
• Segondè pite
• Grenn rafine, Enjenieri mikrostruktur

• 99.5% pite minimòm
• Konpozisyon Customized nan sib TiAl ki disponib (Al: 10at%-90at%)
• Pi piti gwosè disponib tou pou aplikasyon R&D
• Sputtering sib lyezon sèvis

 

Baj popilè: Titàn aliminyòm sputtering objektif, Lachin Titàn aliminyòm sputtering objektif founisè, faktori