Pwodwi Deskripsyon
Yitech pwodui Titàn Aliminyòm Sputtering Targets pa pwosesis avanse cho izostatik peze. Sa yo souvan itilize nan kouch zouti pyès ki nan konpitè, kouch dekoratif, konpozan semi-conducteurs, ak kouch ekspozisyon plat. Rezon ki fè itilizasyon sa a se gwo duktilite (long lavi sèvis), segondè konduktiviti tèmik, ak mikrostruktur omojèn.
Titàn aliminyòm Sputtering sib Enfòmasyon
Pite: 99.5-99.9%;
Sikilè: Dyamèt<= 1500 mm x 500 mm;
Rotary: Longè<=2000 mm, Thickness: <=15 mm;
Sib Kalite: sib sputtering planar, sib sputtering Rotary.
Titàn Aliminyòm Sputtering objektif analiz
|
Titàn aliminyòm Sputtering sib |
Pwopriyete |
Pwopriyete |
Pwopriyete |
|
Konpozisyon (nan %) |
Ti33Al67 |
Ti50Al50 |
Ti70Al30 |
|
Pite |
99.80% |
99.80% |
99.80% |
|
Dansite g/cm³ |
3.29 |
3.6 |
3.95 |
|
Gwosè grenn (um) |
Mwens pase oswa egal a 100 |
Mwens pase oswa egal a 100 |
Mwens pase oswa egal a 100 |
|
Kondiktivite tèmik (W/mk) |
98 |
70 |
40 |
|
Koefisyan ekspansyon tèmik (K) |
1.9 x 10-5 |
1.75 x 10-5 |
1.35 x 10-5 |
Plis Enfòmasyon sou Titàn Aliminyòm Sputtering sib
Aplikasyon
• Kouch dekoratif
• Kouch zouti pyès ki nan konpitè
• Semiconductor
• Montre panèl plat
Pwosesis Faktori
• Preparasyon poud
• Cho izostatik peze
• Analiz: rafineman grenn, Recuit, mikrografi, D'
• Netwayaj ak anbalaj final - Netwaye pou itilize nan vakyòm
Karakteristik
• Prix konpetitif
• Segondè pite
• Grenn rafine, Enjenieri mikrostruktur
• 99.5% pite minimòm
• Konpozisyon Customized nan sib TiAl ki disponib (Al: 10at%-90at%)
• Pi piti gwosè disponib tou pou aplikasyon R&D
• Sputtering sib lyezon sèvis
Baj popilè: Titàn aliminyòm sputtering objektif, Lachin Titàn aliminyòm sputtering objektif founisè, faktori

