Pwodwi Deskripsyon
Ion implantation se yon teknoloji trè enpòtan nan modèn IC manifakti, ki itilize ion implanters pou dope semi-conducteurs, sa vle di, itilize fil tengstèn-thorium kòm katod pou emèt elektwon pou bonbade molekil gaz ki gen eleman espesifik enpurte, sa ki lakòz ionize atòm enpurte espesifik akselere pa elektwostatik. jaden sou sifas Silisyòm sèl kristal wafers ak nan semi-conducteurs la, chanje pwopriyete yo kondiktif ak evantyèlman fòme estrikti tranzistò. Injector iyon an konsiste de yon sistèm gaz, yon sistèm vakyòm, yon sistèm motè, yon sistèm kontwòl, ak yon sistèm beamline.
Sistèm beamline a gen ladan sous ion, elektwòd ekstraksyon, espektwomèt mas, akseleratè back-end, sistèm netralizasyon chaj, okipe wafer, ak bloke gwo bout bwa. Aparèy tengstèn ki fèt ak plak tengstèn epè (2 ~ 45 mm) yo pwensipalman itilize nan sistèm sous ion semi-conducteurs iyon implanters pou fèmen ak pwoteje reyon ionize, epi yo se eleman kle nan sistèm sous ion.
Karakteristik
Pite ond molybdène a pi wo pase 99.95%;
Dansite li pi wo pase 10.2g / cm³;
Egzakteman machin ak ak sifas ekselan brutality;
Molybdenum waveguide se nan gwo rezistans mete.
Endistri aplikasyon an
Endistri materyèl semi-conducteurs
Endistri transpò marin
Endistri optik ak optoelektwonik
Endistri ayewospasyal
Baj popilè: tungstène ak molybdène pati pou endistri semi-conducteurs, Lachin tengstène ak molybdène pati pou endistri semi-conducteurs ke founisè, faktori
